결과: 2
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장

onsemi MOSFET MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247
데이터시트
446재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
데이터시트
214재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube