1,200V 듀얼 IGBT 모듈

Infineon 1,200V 듀얼 IGBT 모듈은 이미터 제어 7 다이오드, NTC 및 PressFIT 접점 기술이 적용된 EconoDUAL™3 1,200V, 900A 듀얼 TRENCHSTOP ™ IGBT7 모듈입니다. IGBT 모듈은 동일한 프레임 크기에 대해 더 높은 인버터 출력 전류를 제공하고 병렬 연결을 회피합니다. Infineon 1,200V 듀얼 IGBT 모듈은 높은 상호 연결 신뢰성으로 쉽고 안정적인 조립 기능을 제공합니다.

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module 17재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 450 A dual IGBT module 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 MEDIUM POWER 62MM 20재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 MEDIUM POWER 62MM 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT Module 12재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module 18재고 상태
20예상 2026-02-26
최소: 1
배수: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 750 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Tray