전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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574재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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653재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
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441재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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1,037재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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1,012재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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399재고 상태
1,000예상 2026-02-17
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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207재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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1,554재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
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229재고 상태
1,000예상 2026-04-06
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
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422재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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880재고 상태
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
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986재고 상태
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
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13재고 상태
1,000예상 2026-03-23
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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137재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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344재고 상태
1,000예상 2026-04-02
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릴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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1,076재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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185재고 상태
최소: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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452재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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258재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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400재고 상태
600예상 2026-04-13
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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470재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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301재고 상태
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배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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74재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
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163재고 상태
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배수: 1
릴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2