전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 314
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스
STMicroelectronics IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT 1,166재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 1,828재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT 1,402재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 906재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBT 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT 1,068재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 4,565재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 747재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 1,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3,875재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 2,084재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5 4,169재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected 5,423재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII 5,736재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1,617재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec 2,143재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET 2,229재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 1,741재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 3,288재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII 1,119재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII 995재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 771재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 850재고 상태
1,000예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp 786재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 1,959재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3