전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1,700재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
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2,750재고 상태
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최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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7,245재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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489재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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2,892재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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801재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBT 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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717재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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887재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1,043재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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434재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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320재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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1,744재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
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1,267재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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637재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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2,161재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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1,877재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
데이터시트
982재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
데이터시트
706재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
데이터시트
415재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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1,340재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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1,841재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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2,731재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
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6,584재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
데이터시트
4,237재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
데이터시트
852재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3