전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1,439재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
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5,144재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
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1,816재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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1,718재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1,060재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
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642재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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3,650재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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6,000재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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884재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,381재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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944재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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570재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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제품 코멘트
2,425재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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227재고 상태
1,000예상 2027-01-29
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
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974재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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970재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74재고 상태
1,000예상 2026-10-30
MouseReel 사용가능
최소: 1
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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2,265재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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1,544재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
데이터시트
958재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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835재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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765재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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393재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
데이터시트
1,790재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
데이터시트
658재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3