전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3