전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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255재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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461재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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132재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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127재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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600예상 2026-05-22
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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591예상 2026-04-01
최소: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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배수: 1,000
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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MouseReel 사용가능
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릴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
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최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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리드 타임 14 주
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 600
배수: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
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리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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리드 타임 26 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
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릴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
데이터시트
리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3