전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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711재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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15재고 상태
600예상 2026-03-10
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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600재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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578재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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23재고 상태
267주문 중
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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248재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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903재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET 모듈 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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800주문 중
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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3,951예상 2026-03-12
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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2,979예상 2026-03-25
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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686재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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643재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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292재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
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399예상 2026-06-01
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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995예상 2026-06-15
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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1,200예상 2026-05-18
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1,200예상 2026-03-09
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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183재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
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15재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
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44재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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717재고 상태
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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290재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
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209재고 상태
최소: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P