전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack 225재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 59재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 97재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 5재고 상태
1,000예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET 254재고 상태
1,000예상 2026-02-10
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII 656재고 상태
3,339예상 2026-04-13
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 1,555재고 상태
6,000예상 2026-04-06
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte 1,219재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150 169재고 상태
1,000예상 2026-05-11
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package 700재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 595재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 738재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 438재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 998재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 333재고 상태
1,000예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A 219재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 520재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A 2,021재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected 913재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 480재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,238재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 1,602재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 448재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 385재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 703재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3