Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)에 대해 낮은 최대 ON 저항 (RDS(ON), 매우 낮은 게이트 전하 (Qg), 낮은 (Qg) x RDS(ON) 값을 갖추고 있습니다. T6 기술을 기반으로 스위칭 성능을 최적화한 Trench8 MOSFET은 Trench6 시리즈보다 Qg 및 Qoss 를 35%~40% 감소시킵니다. Onsemi Trench8 MOSFET은 설계 유연성을 위해 다양한 패키지 타입으로 제공됩니다. AEC-Q101 인증 및 PPAP 지원 옵션은 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. 이 장치는 AOI(자동 광학 검사)를 가능하게 하는 플랭크 습식 패키지로 제공됩니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
onsemi MOSFET T8 80V LL NFET 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V NFET 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V NFET 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel