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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 2204 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIR186LDP-T1-RE3

제조업체 번호:

SIR186LDP-T1-RE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

데이터시트:

SIR186LDP-T1-RE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 31,109

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공장 리드 타임:: 3 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,204.6	₩2,205
	₩1,392.8	₩13,928
	₩935.9	₩93,590
	₩735.8	₩367,900
	₩670.1	₩670,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩588.4	₩1,765,200
	₩547.5	₩3,285,000
	₩528.5	₩4,756,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	80.3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.4 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	31.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	57 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	54 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	26 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIR186LDP-T1-RE3 데이터시트

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR186LDP N-채널 60V(D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N-채널 60V(D-S) MOSFET은 TrenchFET^® Gen IV 전력 MOSFET 기술을 활용합니다. SiR186LDP MOSFET은 매우 낮은 R_DS Q_g FOM(성능 지수)이 특징이며 최저 R_DS Q_oss FOM에 맞게 튜닝되었습니다. Vishay/Siliconix SiR186LDP N-채널 60V(D-S) MOSFET은 동기식 정류, 1차 측 스위치, DC/DC 변환기 및 모터 드라이브 스위치 응용 분야에 이상적입니다.