2G/4G/8Gbit LPDDR4 DRAM with ECC

Intelligent Memory 2G/4G/8Gbit Low-Power Double Data Rate DRAM (LPDDR4) with integrated error correction (ECC) operates over the industrial temperature range and consumes less energy. The LPDDR4 devices feature a low 1.8V power supply and 1.1V at input/output. These AEC-Q100-qualified components offer a 1600MHz maximum speed with a 3200Mbps data rate and are available in a 200-ball FBGA package.

모든 결과 (26)

아래 카테고리 중 하나를 선택하시면 필터링 옵션을 보실 수 있으며 범위를 좁혀 검색하실 수 있습니다.
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 299재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 48재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 205재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),0.6V,FBGA-200,-40C to +85C 136재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 37재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 44재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 20재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C 136재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),0.6V,FBGA-200,-40C to +85C 136재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C 135재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C 144재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C 94재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C 144재고 상태
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
240예상 2026-03-10
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
144예상 2026-02-10
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory Intelligent Memory LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 144
배수: 144

Intelligent Memory Intelligent Memory LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory Intelligent Memory LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1