결과: 577
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장

IXYS IGBT 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT 214재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 310 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT 337재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 66 A 416 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT 338재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 625 W - 55 C + 150 C IXYH50N120 Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT 400재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 160 A 830 W - 55 C + 175 C IXYN100N120 Tube
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-220 581재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
IXYS IGBT 1700V/108A High Voltage XPT IGBT 79재고 상태
870예상 2026-05-07
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 100 A 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 3KV 32A IGBT 226재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 400 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 30 Amps 1200V 190재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 30 A 300 W - 55 C + 150 C IXGT30N120 Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700 V 4 V Rds 426재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXGT6N170 Tube
IXYS IGBT XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT 452재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBT 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode 410재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.1 V - 20 V, 20 V 36 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT 290재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 80 A 480 W - 55 C + 150 C IXYH40N120 Tube

IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1,270재고 상태
150예상 2026-06-08
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
IXYS IGBT PLUS247 900V 140A GENX3 300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked 201재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds 269재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube

IXYS IGBT 32 Amps 1700 V 5 V Rds 1,125재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube
IXYS IGBT G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A 492재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
IXYS IGBT 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT 455재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 1200V/105A 452재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 100 A 750 W - 55 C + 150 C IXYH50N120 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V XPT IGBT 588재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C IXYP20N120 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 38 A 165 W - 40 C + 125 C Tube
IXYS IGBT SMPDB 2500V 23A IGBT 271재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMPD-24 SMD/SMT Half Bridge 2.5 kV 3.1 V 20 V 23 A 100 W - 55 C + 150 C Standard Tube
IXYS IGBT IXYH30N120C4H1 8재고 상태
300예상 2026-07-08
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247 154재고 상태
1,470예상 2026-06-10
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 140 A 650 W - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 10 Tube