전력 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드

Vishay Semiconductors 전력 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드는 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한 효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계된 첨단 고성능 정류기입니다. 와이드 밴드갭 SiC 기술을 기반으로 제작된 이 Vishay 다이오드는 역회복 전하가 거의 0에 가깝고, 매우 빠른 스위칭 속도와 온도 변화에 영향을 받지 않는 성능을 제공하여 차세대 주파수 전력 변환 시스템에 이상적입니다.

결과: 45
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
Vr - 역 전압
시리즈
포장
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
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925예상 2027-01-11
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
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1,000예상 2027-02-05
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L
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475예상 2027-02-08
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L
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490예상 2027-02-05
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
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475예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
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500예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
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794예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
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800예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
데이터시트
1,000예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
데이터시트
1,000예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
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735예상 2026-09-25
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
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800예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
데이터시트
925예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
데이터시트
1,000예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
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500예상 2027-02-08
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800주문 중
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
데이터시트
500예상 2027-02-08
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
780예상 2027-02-12
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
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리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
데이터시트
리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07L-M3 Tube