TNPV e3 저항기

Vishay TNPV e3 저항기는 높은 작동 전압에서 높은 신뢰성과 안정성을 요구하는 대부분의 현대 전자 분야에 적합한 정밀 박막 플랫 칩 저항기입니다. 이 시리즈는 최대 1,000V의 높은 작동 전압 Umax과 TCR, 그리고 최저 ±10ppm/K; ±0.1%의 허용오차, 0.05% 이하의 다양한 환경 조건에서 우수한 전체 안정성(70°C에서 1999시간 정격 전력)이 특징입니다. 대표적인 애플리케이션으로는 산업용 및 자동차용 인버터, 배터리 관리 시스템에 구현된 전압 측정 시스템, 테스트 및 측정 장비 등이 있습니다.

결과: 126
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Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD 2Mohm .1% 10ppm High Voltage
4,775예상 2026-09-10
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape, MouseReel TNPV 2 MOhms 0.1 % 10 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 3.01Mohm .5% 25ppm High Voltage
9,781예상 2026-10-15
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape, MouseReel TNPV 3.01 MOhms 0.5 % 25 PPM / C 1210 3224 3.2 mm (0.126 in) 2.45 mm (0.096 in) 0.6 mm (0.024 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 330 mW (1/3 W) 1 kV
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 2Mohms .1% 25ppm High Voltage
307예상 2026-09-22
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Reel, Cut Tape, MouseReel TNPV 2 MOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV0805 220K 0.5 % T-9 ET1 e3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 5,000
배수: 5,000

TNPV e3 220 kOhms 0.5 % 25 PPM / C 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in) - 55 C + 125 C 200 mW (1/5 W) 450 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV0805390K0.1%T-9ET1e3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 5,000
배수: 5,000

TNPV e3 390 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in) - 55 C + 125 C 200 mW (1/5 W) 450 V
Vishay 박막 저항기 - SMD TNPV1206 1M1 0.1% T-13 ET1 E3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD 1.5Mohms .1% 15ppm High Voltage 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV 1.5 MOhms 0.1 % 15 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay 박막 저항기 - SMD TNPV1206 240K 0.1% T-10 ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 270Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3 270 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 270Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV e3 270 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 300Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3 300 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 330Kohm 1% 50ppm High Voltage 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape, MouseReel TNPV 330 kOhms 1 % 50 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 360Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3 360 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 360Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV e3 360 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 1/4watt 499Kohm 15ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV 499 kOhms 0.1 % 15 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 1/4watt 499Kohm 10ppm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV 499 kOhms 0.1 % 10 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Dale 박막 저항기 - SMD 1/4watt 499Kohm 25ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV 499 kOhms 0.5 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 510Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3 510 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 510Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV e3 510 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 560Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape TNPV e3 560 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 620Kohms 0.1% 25ppm E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel TNPV e3 620 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD TNPV1206 750K 0.1% T-13 E52 e3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000

TNPV 750 kOhms 0.1 % 10 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD 806Kohms .1% 25ppm High Voltage 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV 806 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD 820Kohms .1% 25ppm High Voltage 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel TNPV 820 kOhms 0.1 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C AEC-Q200 250 mW (1/4 W) 700 V
Vishay / Draloric 박막 저항기 - SMD 820K OHM .5% 25PPM 700V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000

TNPV 820 kOhms 0.5 % 25 PPM / C 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.5 mm (0.02 in) - 55 C + 125 C 250 mW (1/4 W) 700 V