Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 23,015재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET 15,556재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 110
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 5,636재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,022재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 10,751재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 60V 3,301재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 150
: 4,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF 47,834재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 950
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A 11,043재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 440
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V 8,135재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 4,283재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 140
: 2,500
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Medium Power 4,949재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 230
: 4,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 200V 22,156재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 400
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel 3,371재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET N Channel 40,276재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,120
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap 4,654재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N Chnl UMOS 13,611재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss 7,564재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W 38,150재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 390
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A 2,048재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 3,368재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A 8,651재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K 8,116재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 140
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 2,425재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A 5,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 6,923재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500