브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

검색 결과로 돌아가기

오류가 보이십니까?

RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 873 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

583-RM2312-T

제조업체 번호:

RM2312-T

제조업체:

Rectron

설명:

MOSFET

데이터시트:

RM2312-T 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Rectron RM2312-T에 대해 자세히 알아보십시오.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Rectron
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT23-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	4.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	33 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	12 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	500 mV
Qg - 게이트 전하:	10 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.25 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Rectron
구성:	Single
하강 시간:	28 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	10 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	18 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	60 ns
표준 턴-온 지연 시간:	20 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

RM2312-T 데이터시트 (PDF)

규정 준수 코드

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.

주요 제품

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 에 대해

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 에 대해

RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

RM3134 Dual N-Channel MOSFET 에 대해

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET 에 대해

RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 에 대해

재고 상태: 2,277

재고:: 2,277 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩873.6	₩874
	₩595.9	₩5,959
	₩377.5	₩37,750
	₩237.1	₩118,550
	₩210.6	₩210,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩177.8	₩533,400
	₩154.4	₩926,400
	₩137.3	₩1,235,700
	₩123.2	₩2,956,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

RM2312-T

제조업체: Rectron

설명: MOSFET

사양

설명서 (1)

데이터시트

제품 및 무역 규정 준수

추가 정보

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

고객이 함께 구입한 제품:

주요 제품 RECTRON

재고 상태: 2,277

가격 (KRW)

QuickView

예기치 못한 오류가 발생했습니다.

제조업체:

Rectron

설명:

MOSFET

주요 제품

RECTRON