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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 40 V 520 MHz 13 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 1.215 MHz to 960 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel, Cut Tape