3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

결과: 4
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
데이터시트
631재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-72-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 500
배수: 500
릴: 500
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement