NCD57200DR2G

onsemi
863-NCD57200DR2G
NCD57200DR2G

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 Isolated High Side Non-Isolated LowSide

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,423

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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩2,263 ₩2,263
₩1,649.8 ₩16,498
₩1,503.8 ₩37,595
₩1,330.1 ₩133,010
₩1,251.2 ₩312,800
₩1,203 ₩601,500
₩1,102.3 ₩1,102,300
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,096.5 ₩2,741,250
₩1,049.7 ₩7,872,750
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제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
RoHS:  
NCD57200
SMD/SMT
SOIC-8
- 40 C
+ 125 C
90 ns
13 ns
8 ns
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: onsemi
드라이버 수: 2 Driver
출력 수: 2 Output
작동 공급 전류: 380 uA
출력 전류: 1.9 A
제품: IGBT, MOSFET Gate Drivers
제품 유형: Galvanically Isolated Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
공급 전압 - 최대: 20 V
공급 전압 - 최소: 500 mV
기술: Si
타입: High-Side, Low-Side
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NCD57200 하프 브리지 게이트 드라이버

onsemi  NCD57200 하프 브리지 게이트 드라이버는 비절연 로우 사이드 게이트 드라이버 1개와 갈바닉 절연 하이 또는 로우 사이드 게이트 드라이버 1개를 갖춘 고전압 게이트 드라이버입니다. 이 게이트 드라이버는 하프 브리지 구성에서 두 개의 IGBT를 직접 구동할 수 있습니다. NCD57200 게이트 드라이버는 IGBT 손실을 줄일 수 있는 수단을 제공하는 최적화된 출력단을 제공합니다. 하이 사이드 게이트 드라이버의 갈바닉 절연은 최대 800V까지 작동하는 IGBT의 고전력 애플리케이션에서 안정적인 스위칭을 보장합니다. Onsemi  NCD57200 하프 브리지 게이트 드라이버에는   데드타임 및 인터록, 정확한 비대칭 UVLO 및 짧고 일치하는 전파 지연을 갖춘 두 개의 독립적인 입력이 포함됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 팬, 펌프, 가전제품, 범용 하프브리지 애플리케이션 등이 있습니다

갈바닉 절연 고전류 게이트 드라이버

onsemi 갈바닉 절연 고전류 게이트 드라이버는 높은 과도 및 전자기 내성을 제공합니다. NCx5700x는 고전력 애플리케이션에서 높은 시스템 효율과 안정성을 제공하도록 설계된 내부 갈바닉 절연 기능을 갖춘 고전류 단일 채널 IGBT 드라이버입니다. 이 드라이버는 시스템 설계 편의를 위해 보완 입력, 오픈 드레인 FAULT, 레디 출력, 액티브 밀러 클램프, 정확한 UVLO, DESAT 보호, DESAT에서 소프트 턴오프, 별도의 하이 및 로우(OUTH 및 OUTL) 드라이버 출력 등의 기능을 갖추고 있습니다. NCx5700x은 입력 측에서 5V 및 3.3V 신호를 수용하며 드라이버 측의 네거티브 전압을 포함한 넓은 바이어스의 전압 범위를 수용합니다. 이러한 onsemi 디바이스는 >5kVRMS (UL1577 등급) 갈바닉 절연 및 >1200VIORM (작동 전압)을 특징으로 합니다. NCx5700x 시리즈는 강화된 안전 절연 요구 사항을 충족하기 위해 입력과 출력 사이의 연면 거리가 8mm로 보장되는 와이드 바디 SOIC-16 패키지로 제공됩니다.