TRSx65H SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Toshiba TRSx65H SiC(탄화 규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 쇼트키 금속을 활용하는 3세대 기술 650V 장치입니다. 이 구성 요소는 2세대 제품의 JBS(접합 배리어 쇼트키) 구조를 최적화하여 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 누설 전류를 줄여 효율을 향상시킵니다. TRSx65H은 2세대 장치보다 17% 더 낮은 순방향 전압(표준1.2V)을 달성하고 순방향 전압과 총 정전용량 전하(표준17nC) 사이 균형을 개선합니다. 향상된 순방향 전압과 역전류 비율을 통해 1.1 µA의 표준 절연 저항을 달성합니다. 다른 특징으로는 최대 12A의 순방향 DC 전류와 최대 640A의 구형파 비반복 서지 전류를 들 수 있습니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 If - 순방향 전류 Vrrm - 반복 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 서지 전류 Ir - 역 전류 포장
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8 1,933재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8 3,858재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8 6,976재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8 4,849재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 108재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 224재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8 2,275재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
150예상 2026-07-10
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
172예상 2026-11-05
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube