집적 MOSFET 솔루션

Vishay 집적 MOSFET 솔루션은 구성 요소를 단일 모놀리식 칩에 결합하여 전력 밀도와 효율성을 높이고 설계를 간소화하며 BOM(자재명세서) 비용을 절감합니다. 이러한 단일 및 다중 다이 MOSFET은 쇼트키 배리어 다이오드 및 ESD 보호와 같은 기능을 통합합니다. 이러한 MOSFET은 낮은 온 상태 저항 N-채널 및 P-채널 TrenchFET® 기술과 낮은 열 저항이 특징입니다. 

결과: 108
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
15,513예상 2026-07-30
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 40 V 34 A 11.71 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 4재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A, 30 A 11.5 mOhms, 28.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V, 2.4 V 6.6 nC, 10 nC - 55 C + 150 C 16 W, 16.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 재고 없음
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 재고 없음
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12 A, 16 A 24 mOhms, 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 12 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 20 W, 33 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F 재고 없음
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms, 1.17 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 24.5 nC, 100 nC - 55 C + 150 C 38 W, 83 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3 비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR3x3-4 N-Channel 2 Channel 30 V 75 A, 141 A 4.5 mOhms, 1.84 mOhms - 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V 1 V, 1.1 V 22 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel