NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

결과: 1,613
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
데이터시트
173재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 150MHz, Commercial Temp
데이터시트
408재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
215재고 상태
252예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 72 18M
데이터시트
64재고 상태
최소: 1
배수: 1
18 Mbit 256 k x 72 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
데이터시트
14재고 상태
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
173재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
72재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 1 M x 72 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 405 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 8.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
16재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
55재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray