AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 9.50 nH 0.540 A 160.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

9.5 nH 5 % 540 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 10.00 nH 0.600 A 130.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

10 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 12.00 nH 0.600 A 130.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

12 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 37.00 nH 0.460 A 220.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

37 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 51.00 nH 0.390 A 300.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

51 nH 5 % 390 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.27 uH 0.120 A 3000.00 mOhm 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

270 nH 5 % 120 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.39 uH 0.100 A 4500.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.00 uH 0.150 A 2500.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 8.20 nH 0.600 A 190.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

8.2 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 12.00 nH 0.600 A 150.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 15.00 nH 0.600 A 170.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.15 uH 0.400 A 560.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

150 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.47 uH 0.250 A 1720.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.56 uH 0.230 A 1900.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 10 % 230 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.62 uH 0.200 A 1950.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

620 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.62 uH 0.200 A 1950.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

620 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.68 uH 0.190 A 2050.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 10 % 190 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.82 uH 0.180 A 2300.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.91 uH 0.160 A 2400.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

910 nH 5 % 160 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.91 uH 0.160 A 2400.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

910 nH 10 % 160 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 3.00 nH 1.600 A 40.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3 nH 5 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 56.00 nH 1.200 A 120.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

56 nH 5 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 7.80 nH 1.600 A 50.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

7.8 nH 5 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 82.00 nH 1.000 A 160.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

82 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 10.00 nH 1.000 A 90.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

10 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C