AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 12.00 nH 0.640 A 120.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

12 nH 2 % 640 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 19.00 nH 0.480 A 200.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

19 nH 2 % 480 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 23.00 nH 0.400 A 250.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

23 nH 2 % 400 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 27.00 nH 0.400 A 300.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

27 nH 2 % 400 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 36.00 nH 0.320 A 400.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 10,000

36 nH 2 % 320 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 3.60 nH 0.840 A 66.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

3.6 nH 2 % 840 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 40.00 nH 0.200 A 550.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

40 nH 2 % 200 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 6.20 nH 0.760 A 83.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

6.2 nH 2 % 760 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 7.50 nH 0.680 A 100.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

7.5 nH 2 % 680 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 9.00 nH 0.680 A 100.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

9 nH 2 % 680 mA SMD/SMT
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 3.30 uH 0.290 A 3400.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 2 % 290 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 5.60 uH 0.240 A 5700.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 2 % 240 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 6.80 uH 0.200 A 7700.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 2 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 33.00 nH 1.000 A 140.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 39.00 nH 1.000 A 150.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

39 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 47.00 nH 1.000 A 160.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

47 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 56.00 nH 1.000 A 180.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

56 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 33.00 nH 1.400 A 60.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

33 nH 5 % SMD/SMT + 85 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 96.00 nH 0.730 A 160.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

96 nH 5 % 730 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 220.00 nH 0.380 A 530.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

220 nH 5 % 380 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.80 nH 1.000 A 43.00 mOhm 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

1.8 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 3.90 nH 0.850 A 59.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

3.9 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 4.30 nH 0.850 A 59.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

4.3 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 4.70 nH 0.800 A 65.00 mOhm 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

4.7 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 8.70 nH 0.700 A 95.00 mOhm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

8.7 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C