AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 0.78 uH 0.300 A 830.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

780 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 0.82 uH 0.290 A 880.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

820 nH 5 % 290 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.20 uH 0.310 A 2000.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.2 uH 5 % 310 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.50 uH 0.330 A 2300.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 5 % 330 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.80 uH 0.300 A 2600.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.8 uH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 2.70 uH 0.290 A 3200.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 5 % 290 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 4.70 uH 0.260 A 4000.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 5 % 260 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 8.20 uH 0.150 A 10700.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

8.2 uH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 4.70 nH 1.000 A 110.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 10.00 nH 1.000 A 80.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 12.00 nH 1.000 A 90.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 15.00 nH 1.000 A 130.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 18.00 nH 1.000 A 110.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 22.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 27.00 nH 1.000 A 130.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 39.00 nH 1.000 A 150.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

39 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 100.00 nH 0.650 A 560.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.15 uH 0.580 A 620.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

150 nH 5 % 580 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.18 uH 0.620 A 700.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

180 nH 5 % 620 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.33 uH 0.450 A 1050.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

330 nH 5 % 450 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.47 uH 0.470 A 1190.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 5 % 470 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.62 uH 0.300 A 1400.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

620 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.68 uH 0.400 A 1470.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.91 uH 0.380 A 1680.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

910 nH 5 % 380 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 11.00 nH 0.640 A 120.00 mOhm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

11 nH 2 % 640 mA SMD/SMT