CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 95250 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

94-CLP24H4S30PXY

제조업체 번호:

CLP24H4S30PXY

제조업체:

Ampleon

설명:

GaN FET CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

CLP24H4S30PXY 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩77,394.6	₩7,739,460

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Ampleon
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	774 uA
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 15 V, 2 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	- 2.2 V
최고 작동온도:	+ 225 C
브랜드:	Ampleon
이득:	18.4 dB
습도에 민감:	Yes
출력 전력:	30 W
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	100
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN SiC
타입:	RF Power MOSFET

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문서 필터:

데이터시트

CLP24H4S30PXY 데이터시트 (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.