650V 탄화규소 전력 MOSFET

Wolfspeed 650V 탄화규소 전력 MOSFET은 최대 효율 및 전력 밀도를 위해 낮은 온 상태 저항과 스위칭 손실을 제공합니다. 650V MOSFET은 서버 전원 공급 장치, 전기차 충전 시스템, 에너지 저장 시스템, PV(태양광) 인버터, 무정전 전원 공급 장치 및 배터리 관리 시스템을 포함한 고성능 전력 전자 장치 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다. 실리콘과 비교하여, Wolfspeed 650V 탄화 규소 MOSFET은 75%의 낮은 스위칭 손실, ½ 의 전도 손실 및 3배 더 높은 전력 밀도를 가능하게 합니다.

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,726재고 상태
컷 테이프
₩16,692
₩9,266.4
₩8,798.4
₩8,782.8
₩8,205.6
릴
₩8,205.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1,133재고 상태
컷 테이프
₩15,038.4
₩8,268
₩7,675.2
₩7,160.4
릴
₩7,160.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial 862재고 상태
₩12,183.6
₩6,567.6
₩6,006
₩5,428.8
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 644재고 상태
컷 테이프
₩20,248.8
₩11,466
₩11,325.6
₩10,576.8
릴
₩10,576.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 601재고 상태
₩16,692
₩9,266.4
₩8,829.6
₩8,782.8
₩8,205.6
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 772재고 상태
컷 테이프
₩22,120.8
₩12,698.4
₩11,856
릴
₩11,856
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 247재고 상태
₩17,550
₩10,233.6
₩9,484.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 327재고 상태
₩14,991.6
₩8,548.8
₩7,878
₩7,644
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 650V, TO-247-3, Industrial 445재고 상태
₩30,186
₩17,347.2
₩16,426.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 639재고 상태
₩21,933.6
₩12,386.4
₩11,856
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 900재고 상태
₩22,900.8
₩13,119.6
₩12,183.6
₩11,856
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 650V, TO-247-4, Industrial 328재고 상태
900예상 2026-11-27
₩28,470
₩16,426.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 692재고 상태
₩16,692
₩9,063.6
₩8,361.6
₩8,205.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 1,959재고 상태
₩16,692
₩9,063.6
₩8,361.6
₩8,205.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-263-7, Industrial 950재고 상태
₩15,038.4
₩8,268
₩7,597.2
₩7,160.4
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 99재고 상태
₩21,746.4
₩12,792
₩12,776.4
₩12,729.6
₩12,292.8
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial 216재고 상태
₩15,038.4
₩8,080.8
₩7,441.2
₩7,160.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial 300재고 상태
900예상 2026-12-14
₩14,991.6
₩8,080.8
₩7,441.2
₩7,160.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial 1재고 상태
컷 테이프
₩16,692
₩9,266.4
₩8,798.4
₩8,205.6
릴
₩8,205.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial 재고 없음
릴
₩7,160.4
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement