Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

이산 반도체의 유형
카테고리 보기 변경
결과: 198
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
IXYS 디스크리트 반도체 모듈 26 Amps 1000V 0.39 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS 디스크리트 반도체 모듈 26 Amps 1200V
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS 디스크리트 반도체 모듈 30 Amps 1200V 0.35 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET 모듈 29 Amps 800V 0.27 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET 모듈 PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET TO220 1KV 5A N-CH POLAR
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
IXYS MOSFET 4 Amps 800V 1.44 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 65 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 49 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 65 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 600V 30A
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V
데이터시트
비재고 리드 타임 35 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 600V 20A
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 500V 24A
데이터시트
비재고 리드 타임 35 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET DIODE Id26 BVdass800
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3