TGS2355-SM

Qorvo
772-TGS2355-SM
TGS2355-SM

제조업체:

설명:
RF 스위치 IC .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

데이터시트:
ECAD 모델:
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₩234,476 ₩5,861,900

제품 속성 속성 값 속성 선택
Qorvo
제품 카테고리: RF 스위치 IC
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.1 dB
40 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-32
Si
TGS2355
Tray
브랜드: Qorvo
고제어 전압: - 48 V
습도에 민감: Yes
스위치 수: Single
작동 공급 전류: 1 mA
Pd - 전력 발산: 35 W
제품 유형: RF Switch ICs
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Wireless & RF Integrated Circuits
부품번호 별칭: TGS2355 1097064
단위 중량: 5.058 g
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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

TGS2355-SM High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355-SM High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5GHz to 6.0GHz. Fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25), the TGS2355-SM provides up to 100W input power handling with <1.1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. These qualities make the TGS2355-SM GaN Switch ideal for high-power switching applications across both defense and commercial platforms.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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