HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

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트랜지스터 극성
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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531재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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297재고 상태
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배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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461재고 상태
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릴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1,402재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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4,565재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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802재고 상태
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최소: 1
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릴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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722재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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90재고 상태
600예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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406재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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496재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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591예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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470재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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848재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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311재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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74재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1,106재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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290재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42재고 상태
최소: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
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219재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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600예상 2026-02-10
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배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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비재고 리드 타임 14 주
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
데이터시트
리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3