HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

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트랜지스터 극성
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2,309재고 상태
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: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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783재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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782재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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320재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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561재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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220재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1,162재고 상태
1,800예상 2026-08-25
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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3,247재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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742재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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238재고 상태
1,000예상 2026-09-25
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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246재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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574재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1,050재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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693재고 상태
600예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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493재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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519재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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464재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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1,200예상 2027-05-28
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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280재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
데이터시트
600예상 2026-09-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
데이터시트
1,200예상 2026-10-09
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
데이터시트
리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 600
배수: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3