표준 N-채널 감손 모드 전력 MOSFET

IXYS 표준 시리즈 500~1,700V N-채널 감손 모드 전력 MOSFET은 끄려면 음의 게이트 바이어스가 필요한 감손 모드 MOSFET입니다. 이 모듈은 0 또는 0보다 큰 게이트 바이어스 전압에서 On 상태를 유지하지만, 그렇지 않으면 MOSFET과 유사한 특성이 있습니다. 이 시리즈는 레벨 시프팅, 반도체 계전기, 전류 레귤레이터, 활성 부하에 적합합니다.

결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
IXYS MOSFET TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
데이터시트
907재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
데이터시트
436재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
데이터시트
3,739재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
데이터시트
595재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
데이터시트
277예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube