TISP Thyristor Overvoltage Protectors

Bourns TISP® Thyristor Surge Protectors are surge protective devices with characteristics very different than the normal SCR (Silicon Controlled Rectifier) and TRIAC (Triode for AC Control) type thyristors. Thyristor Surge Protector Device current parameters cover a range from a few nanoamps to hundreds of amps. A similar situation exists for thyristor SPD voltages, where there can be a wide range from several volts to hundreds. Bourns TISP Thyristor Surge Protectors are specially designed to provide protection for telecommunications equipment in instances where high voltages occur as a result of lightning strikes, power line crosses, or a/c power surges.

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Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Forward Conducting Unidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 12,000
배수: 3,000
릴: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR High Surge Dual Progrmmble Protector
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT D008
Bourns SCR Quad programmable Thyristor
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT D008
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Low Volt Triple Elmt Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Low Volt Triple Elmt Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element Bidirectional
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 200volts
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 220volts
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 240volts
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 275volts
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Triple Element Bidirectional
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

TSPDs SMD/SMT SOP-8
Bourns SCR Buffered P-Gate SCR Dual
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR PROTECTOR - BUFFERED P-GATE PROG. PROT.
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR Buffered N-Gate SCR Dual
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR PROTECTOR - BUFFERED N-GATE PROG. PROT.
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns SCR -150mA High Hold current
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 2,500
릴: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8