결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 647재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56 690재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 690재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 690재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C