BM6GD11BFJ-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM6GD11BFJ-LBE2
Price: 5723 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-BM6GD11BFJ-LBE2

제조업체 번호:

BM6GD11BFJ-LBE2

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

갈바닉 절연 게이트 드라이버 1CH GATE DRIVER

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

BM6GD11BFJ-LBE2 데이터시트

ECAD 모델:

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,723.2	₩5,723
	₩3,781.4	₩37,814
	₩3,445.6	₩86,140
	₩2,934.6	₩293,460
	₩2,788.6	₩697,150
	₩2,496.6	₩1,248,300
	₩2,336	₩2,336,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,985.6	₩4,964,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	갈바닉 절연 게이트 드라이버
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOP-JW8
채널 수:	1 Channel
절연 전압:	2500 Vrms
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
전파 지연 - 최대:	60 ns
상승 시간:	8 ns
하강 시간:	8 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
입력 전압 - 최대:	5.5 V
입력 전압 - 최소:	4.5 V
최대 턴-오프 지연 시간:	60 ns
최대 턴-온 지연 시간:	60 ns
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전압:	4.5 V to 6 V
제품:	Galvanic Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	2500
공급 전압 - 최대:	5.5 V
공급 전압 - 최소:	4.5 V
타입:	Galvanic Isolation Gate Driver

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문서 필터:

데이터시트

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

BM6GD11BFJ-LB 1채널 게이트 드라이버

절연 기능이 내장된 ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB 1채널 게이트 드라이버는 질화갈륨(GaN) HEMT를 고속으로 구동할 수 있습니다. 이 게이트 드라이버는 _2500VRMS 절연 전압, 60ns 최대 입력/출력 지연 시간, 65ns 최소 입력 펄스 폭을 제공합니다. BM6GD11BFJ-LB 게이트 드라이버는 입력 측(VCC1과 GND1 사이)과 출력 측(VCC2와 GND2 사이)의 UVLO(저전압 록아웃) 기능으로 구성됩니다. 이 게이트 드라이버는 4.9mm x 6mm x 1.65mm 크기의 SOP-JW8 패키지로 제공됩니다. BM6GD11BFJ-LB 게이트 드라이버는 산업용 장비, 질화갈륨(GaN) HEMT 게이트 드라이브, AC 어댑터 및 서버 전력 공급 애플리케이션에 사용됩니다.