PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q 트랜지스터

Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Low VCEsat Transistors provide low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability. The PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistors offer higher efficiency, resulting in less heat generation. The low VCEsat transistors are available in a DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 최대 DC 콜렉터 전류 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-베이스 전압 VCBO 이미터-베이스 전압 VEBO 콜렉터-이미터 포화 전압 Pd - 전력 발산 게인 대역폭 제품 fT 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS5350PAS/SOT1061/HUSON3 2,870재고 상태
최소: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS5250PAS-Q/SOT1061/HUSON3 2,990재고 상태
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS5250PAS/SOT1061/HUSON3 2,980재고 상태
최소: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS4350PAS/SOT1061/HUSON3 2,935재고 상태
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 370 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS5350PAS-Q/SOT1061/HUSON3 1,672재고 상태
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3 1,941재고 상태
최소: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 370 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel