CRCW-P 박막 칩 저항기

Vishay CRCW-P 저항기는 후막, 직사각형, 반정밀 칩 저항기입니다. 이 저항기는 저온 계수(50ppm/K)와 엄격한 공차(± 0.25%) 가특징입니다. CRCW-P 저항기는 109를 초과하는 절연 저항, -55~155°C 온도 범위에서 작동하며 고품질 세라믹에 금속 유약을 입힙니다.

결과: 2,456
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 포장
시리즈
저항
전력 정격
공차
온도 계수
최저 작동온도
최고 작동온도
전압 정격
케이스 코드 - in
케이스 코드 - mm
길이
너비
높이
적용
특징
자격
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 19K6 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K02 0.5% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K02 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K07 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K07 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K1 0.5% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K1 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K13 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K15 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K18 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K18 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K2 0.5% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K2 1% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DCRCW-P e3 1.2 kOhms 100 mW (1/10 W) 1 % 50 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K21 0.5% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1.21K 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DCRCW-P e3 1.21 kOhms 100 mW (1/10 W) 1 % 50 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K24 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K27 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K3 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K3 1% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K33 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K33 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K37 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K4 0.5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K4 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-P 50 1K43 1% ET1 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
DCRCW-P e3 0603 1608