MJD 자동차용 중간 전력 트랜지스터

Diodes Inc. MJD 자동차용 중간 전력 트랜지스터는 AEC-Q101 인증을 획득하고 PPAP가 가능하며 IATF16949 인증 시설에서 제조되는 양극성 트랜지스터입니다. 각 장치의 콜렉터 - 이미터 항복 전압은 50V 또는 100V (최소) 입니다. Diodes Inc. MJD 자동차용 중간 전력 트랜지스터는 TO-252 (DPAK) 패키지로 제공되며 전력 스위칭 또는 증폭 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-베이스 전압 VCBO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
포장
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
데이터시트
5,679재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
데이터시트
1,061재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
데이터시트
1,040재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
데이터시트
2,395예상 2026-04-29
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape