Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.

모든 결과 (455)

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수량 RoHS
onsemi MOSFET T6 60V LL LFPAK
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onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
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onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL NCH
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onsemi MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
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onsemi MOSFET AFSM T6 60V SG NCH
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
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릴: 3,000
onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
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비재고 리드 타임 30 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

onsemi MOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
데이터시트
2구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
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최소: 1
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onsemi MOSFET T6 60V S08FL DUAL
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비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,500
배수: 1,500
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onsemi MOSFET TRENCH 30V NCH
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비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
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비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,500
onsemi MOSFET 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
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1,500예상 2026-09-17
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
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비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
onsemi MOSFET T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 3,000
배수: 3,000
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onsemi MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
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릴: 3,000

onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL NCH
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비재고 리드 타임 19 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
onsemi MOSFET 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
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2,645예상 2026-06-25
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
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6,000예상 2027-01-07
MouseReel 사용가능
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onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
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1,500예상 2026-07-30
최소: 1
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릴: 1,500
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
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비재고 리드 타임 18 주
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onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK
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비재고 리드 타임 19 주
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onsemi MOSFET T6 40V SL LFPAK
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비재고 리드 타임 19 주
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릴: 3,000

onsemi MOSFET T6 60V LL LFPAK
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비재고 리드 타임 19 주
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배수: 3,000
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onsemi MOSFET T6 60V LL LFPAK
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비재고 리드 타임 21 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
데이터시트
1,500예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
릴: 1,500