Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.

모든 결과 (456)

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,490재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 190재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1,307재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1,200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 99재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 820재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V S08FL DUAL 535재고 상태
1,500예상 2026-03-20
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 1,182재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 3재고 상태
1,500예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 962재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS 593재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V HEFET 61재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,430재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V SG 749재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 7,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 454재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1,778재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1,410재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 2,727재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
onsemi MOSFET 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 597재고 상태
3,000예상 2026-02-20
최소: 1
배수: 1
: 1,500

onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 640재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500