BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 932048 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

755-BST400D12P4A101

제조업체 번호:

BST400D12P4A101

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET 모듈 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

BST400D12P4A101 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 80

재고:: 80 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 27 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩932,048.8	₩932,049
	₩787,466.4	₩7,874,664

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
기술:	SiC
장착 스타일:	Press Fit
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	394 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	8.6 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	1.667 kW
포장:	Bulk
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Dual
하강 시간:	42 ns
제품:	Power Module
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	102 ns
팩토리 팩 수량:	80
하위 범주:	Discrete and Power Modules
상표명:	EcoSiC
표준 턴-오프 지연 시간:	198 ns
표준 턴-온 지연 시간:	119 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

BST400D12P4A101 데이터시트

Specification Sheets

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

규정 준수 코드

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 일본
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

고밀도 SiC 전력 모듈

ROHM Semiconductor의 고밀도 탄화규소(SiC) 전력 모듈은 자동차 및 산업용 애플리케이션에서 고효율 전력 변환(high-efficiency power conversion)을 지원하도록 설계되었습니다. 라인업에는 TRCDRIVE pack™, HSDIP20, DOT-247과 같은 여러 패키지 플랫폼이 포함되어 있으며, 각 플랫폼은 서로 다른 전력 등급 (power classes)과 시스템 요구 사항에 최적화되어 있습니다. 이 패키지들은 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 소형 모듈 구조 (compact module structures)로 통합하여 높은 전력 밀도(high power density), 안정적인 스위칭 성능(stable switching performance) 및 효율적인 열 관리 (efficient thermal management)를 가능하게 합니다. 패키지에 따라 2-in-1, 4-in-1, 6-in-1과 같은 다양한 구성(configurations)이 가능하며, 이는 광범위한 전력 변환 및 모터 구동 애플리케이션 (motor drive applications)에 유연성(flexibility)을 제공합니다.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 및 BST400D12P4A111 TRCDRIVE PACK™ (2-in-1 SiC 성형 모듈 포함)는 정격 41.6 mm 전압이 1 200 V × 52.5 mm 크기의 소형 패키지로 제공됩니다. 이 모듈은 전력 밀도가 높은 설계를 위해 4세대 SiC MOSFET을 통합하여 전기차(xEV) 인버터의 크기를 획기적으로 줄여줍니다. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 및 BST400D12P4A111 모듈은 최대 300kW까지 지원하며, 소형화, 고효율화 및 공수 (person-hours) 절감이라는 트랙션 인버터 (traction inverter)의 핵심 과제를 해결하도록 설계된 터미널 구성을 특징으로 합니다. 이 모듈은 신호 터미널 (signal terminals)에 납땜(soldering) 이 필요하지 않아, 설계자에게 사용 편의성 (ease of use)을 제공합니다.