N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET

Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET은 열 저항이 우수한 N-채널, 정상 레벨 장치입니다. OptiMOS 7 80V 전력 MOSFET 시리즈는 소프트 복구 보디 다이오드를 제공하며 175°C 정격입니다. Infineon OptiMOS 7 80V 전력 MOSFET은 PG-TDSON-8 패키지로 제공되며 모터 드라이브 및 동기식 정류 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
데이터시트
5,039재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
데이터시트
2,699재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
데이터시트
4,999예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape