CoolMOS™ C7 Gold (G7) 전력 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 전력 MOSFET는 새로운 SMD TOLL(TO-Leadless) 패키지로 제공되며 Kelvin 소스 개념을 사용합니다. G7 MOSFET는 개선된 600V 및 650V CoolMOS™ G7 기술, 4핀 Kelvin 소스 기능 및 TO 무연 패키지의 개선된 열 특성을 결합합니다. 이를 통해 최대 3kW의 역률 보정(PFC)과 같은 고전류 하드 스위칭 토폴로지용 SMD 솔루션을 구현할 수 있습니다. 600V CoolMOS™ G7의 경우 MOSFET를 하이 엔드 LLC와 같은 공진 회로에 사용할 수 있습니다.

결과: 12
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
3,968재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,735재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,462재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
데이터시트
2,570재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,199재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
데이터시트
1,143재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
23재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
30재고 상태
2,000예상 2027-02-25
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
데이터시트
1,950예상 2026-07-02
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape