FDMC8200

onsemi
512-FDMC8200
FDMC8200

제조업체:

설명:
MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

재고 상태: 2,012

재고:
2,012 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
45 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
이 제품은 리드 타임이 깁니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩2,112.8 ₩2,113
₩1,333 ₩13,330
₩881.6 ₩88,160
₩687 ₩343,500
₩624.7 ₩624,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩510.7 ₩1,532,100
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Power-33-8
N-Channel
2 Channel
30 V
18 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.3 nC, 16 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W, 2.2 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: onsemi
구성: Dual
하강 시간: 1.3 ns, 6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 29 S, 56 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 3.1 ns, 4 ns
시리즈: FDMC8200
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 35 ns, 38 ns
표준 턴-온 지연 시간: 11 ns, 13 ns
단위 중량: 186 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

규정 준수 코드
KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
태국
어셈블리 원산지:
태국
COD(확산 공정 국가):
타이완
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

The onsemi FDMC8200 and FDMC8296 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFETs are 30V, 9.5 mΩ, and 20 mΩ devices that include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node of the onsemi FDMC8200 / FDMC8296 has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET in these onsemi devices are designed to provide optimal power efficiency. The FDMC8200 / FDMC8296 is optimized for use in mobile computing, mobile Internet devices, and general purpose point of load applications.

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low RDS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.  

FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFETs

onsemi FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFET modules provide a high output current capability in a 5mm x 6mm dual MOSFET solution. These modules incorporate control and synchronous MOSFET as well as a monolithic Schottky body diode in a PQFN package. The switch node has been internally connected to allow easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET are designed to deliver optimal power efficiency for output currents up to 30A. These onsemi devices are optimized to minimize the combination of conduction and switching losses from 300kHz to 600kHz, delivering reliable, highest power efficiency for point-of-load and multi-phase synchronous buck DC-DC applications.