BR24G1MF-5AE2

ROHM Semiconductor
755-BR24G1MF-5AE2
BR24G1MF-5AE2

제조업체:

설명:
EEPROM EEPROM SERIAL I2C 1MBIT

라이프사이클:
NRND:
새로운 디자인에 권장되지 않습니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 2,259

재고:
2,259 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
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2259을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,467.4 ₩2,467
₩2,321.4 ₩23,214
₩2,248.4 ₩56,210
₩2,204.6 ₩110,230
₩2,146.2 ₩214,620
₩2,087.8 ₩521,950
₩2,029.4 ₩1,014,700
₩1,985.6 ₩1,985,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
2,500 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: EEPROM
RoHS:  
1 Mbit
I2C
1 MHz
128 k x 8
SOP-8
1.7 V
5.5 V
SMD/SMT
40 Year
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
능동 읽기 전류 - 최대: 2 mA
브랜드: ROHM Semiconductor
작동 공급 전류: 4.5 mA
작동 공급 전압: 1.7 V to 5.5 V
제품 유형: EEPROM
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대: 4.5 mA
부품번호 별칭: BR24G1MF-5A
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

Specification Sheets

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

USHTS:
8542320051
TARIC:
8542327500
ECCN:
EAR99

BR24G1Mx-5A 시리즈 I²C 버스 EEPROM(2와이어)

ROHM Semiconductor BR24G1Mx-5A 시리즈 I²C 버스 EEPROM(2와이어)은 높은 내구성과 고속 쓰기 사이클을 제공하는 1Mb 저 전류 소비 직렬 EEPROM입니다. 이 EEPROM은 256Byte 페이지 쓰기 모드, 1.7~5.5V의 넓은 작동 전압 범위, 1MHz 가능 작동이 특징입니다. BR24G1Mx-5A EEPROM은 SCL(직렬 클록) 및 SDA(직렬 데이터)의 2포트를 통해 모든 제어 기능을 통합하고 있습니다.이 장치는 쓰기 방지(WP) 기능을 사용하여 저전압에서 데이터 잘못 쓰기를 방지합니다.   BR24G1Mx-5A I²C 버스 EEPROM은 400만 쓰기 사이클, 3.5ms 쓰기 사이클 시간 및 200년의 데이터 보존 기간을 제공합니다. 일반적으로 AV, OA, 통신 장비, 전자 가전 제품 및 오락 장비와 같은 일반적 인 전자 장비에 사용됩니다. 

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