RF MOSFET 트랜지스터 – Mouser 대한민국

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MRF101 RF 전력 LDMOS 트랜지스터

NXP Semiconductors MRF101 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 최대 250MHz의 높은 성능을 발휘하도록 설계된 매우 견고한 N채널 향상 모드 횡형 MOSFET입니다. 이 트랜지스터는 향상된 C급 동작을 위해 더 큰 네거티브의 게이트-소스 전압 범위로 ESD 보호 기능을 통합하고 있습니다. 두 트랜지스터 모두 두 개의 핀 출력 버전으로 되어 있어 더 유연하게 푸시 풀 구성을 지원하기 위해 서로 미러링됩니다. MRF101 트랜지스터는 산업용, 과학 및 의료용 애플리케이션에 적합한 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)에 이상적입니다.

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부품 번호

RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: ₩73,292
3,618재고 상태

제조업체 부품 번호
MRF101AN

Mouser 부품 번호
771-MRF101AN

NXP Semiconductors

RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

NXP Semiconductors nxp mrf101 rf transistors 에 대해

데이터시트

3,618재고 상태

₩73,292

₩59,933

₩52,852

₩50,530.6

보기

최소: 1
배수: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: ₩64,634.2
253재고 상태

제조업체 부품 번호
MRF101BN

Mouser 부품 번호
771-MRF101BN

NXP Semiconductors

RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

NXP Semiconductors nxp mrf101 rf transistors 에 대해

데이터시트

253재고 상태

₩64,634.2

₩52,574.6

₩47,187.2

₩45,581.2

보기

최소: 1
배수: 1

없음

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

MRF101 RF 전력 LDMOS 트랜지스터

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