FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

결과: 30
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
포장
RAMXEED MB85RC256VPNF-G-AMERE2
RAMXEED F램 256kbit FeRAM with I2C serial interface, 5V - SOP8 (150mil) T&R
데이터시트
1,475예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1
: 1,500
Reel, Cut Tape

RAMXEED F램 256kbit FeRAM with x8 parallel interface - TSOP28 tray
데이터시트
183예상 2026-10-27
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 TSOP-28 70 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray

RAMXEED F램 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 500
배수: 500
: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel
RAMXEED F램 128kbit FeRAM with SPI, AECQ100 125C - SOP8 tube
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

128 kbit SPI 33 MHz 16 k x 8 SOP-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tube
RAMXEED MB85RC16PNF-G-AMERE2
RAMXEED F램 16kbit I2C FeRAM 150mil SOP8 (tape)
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Reel, Cut Tape