SIC10A065T-AU_T0_000A1

Panjit
241-SIC10A065TAUT000
SIC10A065T-AU_T0_000A1

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

라이프사이클:
NRND:
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데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Panjit
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
400 A
20 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
브랜드: Panjit
Pd - 전력 발산: 115 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압: 650 V
단위 중량: 1.890 g
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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KRHTS:
8541109000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on VF. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (IF) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.

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