EiceDRIVER™ 1,200V 하프 브리지 게이트 드라이버

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1,200V 하프 브리지 게이트 드라이버는 부트스트랩 다이오드와 통합되어 IGBT 또는 SiC MOSFET 전원 장치를 제어합니다. SOI 기술을 기반으로 하는 이 드라이버는 과도 전압에 대한 탁월한 견고성을 제공합니다. EiceDRIVER는 작동 온도 및 전압 범위에서 기생 래치업에 대한 견고한 설계를 갖추고 있습니다. EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 2.3A 소스 및 4.6A 전류 싱크 용량이 특징이며 초고속 OCP(과전류 보호)와 통합되어 있습니다. 산업용 드라이브, 펌프의 모터 제어를 위한 내장형 인버터, 팬, 상업용 및 소형 상업용 에어컨에 일부 사용됩니다. 

결과: 2
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
패키지/케이스
드라이버 수
출력 수
출력 전류
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
구성
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER
데이터시트
2,935재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Half-Bridge Drivers 3-Phase / Three Phase SMD/SMT DSO-16-U02 1 Driver 1 Output 2.3 A 13 V 20 V Non-Inverting 500 ns 500 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER
데이터시트
2,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Half-Bridge Drivers 3-Phase / Three Phase SMD/SMT DSO-16-U02 1 Driver 1 Output 2.3 A 13 V 20 V Non-Inverting 500 ns 500 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape